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【24h】

TR-DLS analysis on analog circuit

机译:模拟电路的TR-DLS分析

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摘要

Analog circuits are often challenging to debug with dynamic laser stimulation (DLS) due to intrinsic sensitivity of some circuitries to carrier generations. This paper showcases successful post-silicon debug on analog circuitries (start-up circuit) using nanosecond pulse-on-demand laser to perform Time-resolved Dynamic Laser Stimulation (TR-DLS), leading into root cause identification on a marginality issue in a sub-20 nm FinFET technology device.
机译:由于某些电路对载波产生的固有敏感性,使用动态激光刺激(DLS)调试模拟电路通常具有挑战性。本文展示了使用纳秒级按需脉冲激光执行时间分辨动态激光刺激(TR-DLS)的模拟电路(启动电路)的成功的硅后调试,从而导致了对电路中边缘性问题的根本原因识别。 20 nm以下的FinFET技术设备。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics & Reliability 》 |2020年第3期| 113584.1-113584.6| 共6页
  • 作者

  • 作者单位

    AMD Inc Singapore Singapore;

    AMD Inc Singapore Singapore|Singapore Univ Technol & Design Singapore Singapore;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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