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机译:重离子在50 nm NAND浮栅闪存中的辐射效应
Chinese Acad Sci Inst Modern Phys Lanzhou 730000 Gansu Peoples R China|China Elect Technol Grp Corp 58 Res Inst Wuxi 214000 Jiangsu Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Modern Phys Lanzhou 730000 Gansu Peoples R China;
China Elect Technol Grp Corp 58 Res Inst Wuxi 214000 Jiangsu Peoples R China;
Annealing; Flash memories; Heavy ions; Retention errors; Single event upset;
机译:辐射诱导16 nm浮栅SLC NAND闪存中的软误差
机译:具有“ I”形浮栅的闪存器件,用于低于70 nm的NAND闪存
机译:用于在51 nm以下的MLC NAND闪存中构建浮栅的Ceria CMP浆料
机译:修改后的浮栅和IPD轮廓可改善50nm以下NAND闪存的单元性能
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:经过溶液处理的分子浮栅用于柔性闪存
机译:65 nm技术中的1G-Cell浮栅和闪存,具有100ns随机接入时间