机译:初始充电方法中使用的功率MOSFET的可靠性评估,在每个支路中使用多个短路
Univ Tsukuba Tsukuba Ibaraki Japan|Tokyo Metropolitan Univ Tokyo Japan;
Tokyo Metropolitan Univ Tokyo Japan;
Non-destructive evaluation; Reliability test; Short-circuit; SiC-MOSFET;
机译:基于工作波形分析的腿短路初始充电方法所用功率MOSFET的可靠性评估
机译:SI功率MOSFET的选择方法,用于增强SIC电源MOSFET短路能力,基本(EMM)拓扑
机译:用于电力转换器启动方法的SIC电源装置的多个短路特性和可靠性研究
机译:在初次充电期间使用功率MOSFET的支路短路的并网转换器中直流电容器两端过压抑制的控制方法
机译:动力机器人腿上的分散式无功摆动腿控制器的评估。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:基于Repetive短路应力下SiC功率MOSFET的低频噪声的陷阱分析
机译:利用siC功率mOsFET的硬开关Boost功率处理单元的长期可靠性。