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机译:栅极屏蔽效应的偏置电压准则,用于保护IGBT免受直通现象的影响
机译:沟槽屏蔽平面栅极IGBT(TSPG-IGBT),具有自偏置PMOS,实现低导通状态电压和低饱和电流
机译:用于逆变器的逆变器,该逆变器由具有栅极阻抗减少的下一代IGBT组成
机译:不同直通控制方式操作的修正正弦波qZSI中IGBT的开关条件分析
机译:使用屏蔽层改进沟槽栅极IGBT的击穿电压特性
机译:使用高压IGBT的中压感应电动机驱动器的电压源逆变器选件。
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:沟槽屏蔽平面栅极IGBT(TSPG-IGBT),具有自偏置PMOS,实现低导通状态电压和低饱和电流