Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces

E. Marega Jr.; R.M. Oliveira; C. Ade Souza; H. Arakaki; P.P. Gonzalez-Borrero

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【24h】

Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces

机译：在（311）A GaAs表面上生长的GaAs / AlAs超晶格的光学性质

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We present a temperature-dependence photoluminescence of (GaAs)_5/(AlAs)_5 superlattice grown on (311)A-oriented semi-insulating substrate by molecular beam epitaxy. The temperature dependence reveals an anomalous decrease of the PL width, which is explained in terms of phonon-assisted thermal activation of localized excitons.

机译：我们提出了通过分子束外延生长在（311）A取向的半绝缘衬底上生长的（GaAs）_5 /（AlAs）_5超晶格的温度依赖性光致发光。温度依赖性揭示了PL宽度的反常减小，这可以通过声子辅助的局部激子的热活化来解释。

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来源
《Microelectronics journal》 |2004年第1期|p.41-43|共3页
作者
E. Marega Jr.; R.M. Oliveira; C. Ade Souza; H. Arakaki; P.P. Gonzalez-Borrero;
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作者单位

Departamento de Fisica e Ciencia dos Materials, IFSC/USP, C.P. 369, CEP 13560-970 Sao Carlos, SP, Brazil;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
(GaAs)_5/(AlAs)_5 superlattice; (311)A-oriented semi-insulating substrate; molecular beam epitaxy technique;

机译：（GaAs）_5 /（AlAs）_5超晶格;（311）A取向半绝缘衬底;分子束外延技术;

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