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机译:超低功耗模拟/ RF电路的无结双栅极(JLDG)MOSFET的分析表面电势建模和仿真
Motilal Nehru Natl Inst Technol, Allahabad 211004, Uttar Pradesh, India;
Motilal Nehru Natl Inst Technol, Allahabad 211004, Uttar Pradesh, India;
Motilal Nehru Natl Inst Technol, Allahabad 211004, Uttar Pradesh, India;
JLDG; SCEs; Double Gate; SOI; Analog and RF FOMs;
机译:用于高线性度应用的模拟/ RF电路的无结双栅极(JLDG)MOSFET的可靠性分析
机译:间隔型浅源/排水延伸结的分析模型与分析,双闸门(SDE-JLDG)MOSFET结合了流苏现场效应
机译:用于模拟和RF应用的无结四栅极MOSFET的电位建模和性能分析
机译:绝缘体上锗硅(DMGSGOI)MOSFET上双材料栅极应变硅的表面电势的分析模型和基于ATLAS™的模拟
机译:用于数字和模拟/ RF电路应用的双栅极MOSFET的建模,制造和表征
机译:首要原理的砷和锑双栅极MOSFET的性能
机译:基于双门MOSFET电路的弹道/准弹道效应的分析建模和性能分析