机译:对后门控(BG)异质结(HJ)TFET-ON-SELBOX - 衬底(STFET)的DC,RF和线性性能的研究:BG-HJ-STEV基CMOS逆变器简介
IIT BHU CRME Lab Dept Elect Engn Varanasi 221005 Uttar Pradesh India;
IIT BHU CRME Lab Dept Elect Engn Varanasi 221005 Uttar Pradesh India;
IIT BHU CRME Lab Dept Elect Engn Varanasi 221005 Uttar Pradesh India;
IIT BHU CRME Lab Dept Elect Engn Varanasi 221005 Uttar Pradesh India;
IIT BHU CRME Lab Dept Elect Engn Varanasi 221005 Uttar Pradesh India;
Tunnel field effect transistor (TFET); Silicon on insulator (SOI); Selective buried oxide (SELBOX); Band-to-band tunneling (BTBT); Linearity figure of merits (FOMs); Back gate (BG);
机译:基于非线性前置放大器和CMOS反相器的SAR ADC输出代码无偏移比较器
机译:使用基于CMOS - 逆变器的RF GM阶段的W波段CMOS下转换混合器进行转换增益和线性增强
机译:通过反相器性能评估的轴向Ge-Si异质结全栅纳米线隧穿CMOS-FET器件设计
机译:异质结TFET反相器的全量子仿真在低于0.35V VDD时提供比多栅极CMOS更好的性能
机译:深亚微米CMOS中的基于SAR的高性能ADC设计。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:基于氧化铟锌和手性富含碳纳米管薄膜晶体管的高性能部分印刷的混合CMOS逆变器