机译:在压印光刻母版上对具有100 nm以下位的位阵列进行双通道电子束写入,以用于图案化介质生产
OBDUCAT Technologies AB, Box 580, SE-201 25, Malmoe, Sweden;
patterned media; nanoimprint; electron beam; lithography;
机译:使用30keV电子束光刻技术形成2 Tbit / in。〜2图案化介质的18nm间距超高密度细点阵列的可能性
机译:定向嵌段共聚物组装与电子束光刻技术对面密度为1 Terabit / inch〜2或更高的位图介质
机译:利用电子束光刻技术在SiO2模板中制备亚100 nm图案,以生长周期性的III-V半导体纳米结构
机译:用于1Tbit / inch 2 sup>和25nm间距位图案化介质的纳米压印光刻的母模和工作复制品制造
机译:通过新型纳米加工技术实现的分层多位簇和图案化介质-高分辨率电子束光刻和嵌段聚合物自组装。
机译:海藻糖糖醇抗性可通过电子束光刻直接写入蛋白质图案
机译:通过纳米压印光刻技术对亚100nm外延L10 Fept点阵列进行大面积图案化