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机译:快速热退火时间和环境温度对SiO_2 /纯Ge /快速热氧化物存储结构电荷存储能力的影响
Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems, Singapore-MIT Alliance, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576, Singapore;
rapid thermal annealing; charge storage; ge nanocrystals;
机译:毫秒级快速热退火使用热等离子射流在浮栅存储器上诱导在SiO_2上形成高密度Pt纳米点
机译:溅射富硅/ SiO_2超晶格结构的快速热退火
机译:种子层高温快速热退火对水热ZnO纳米结构晶体演化的影响
机译:薄栅极氧化物电介质的超低热预算快速热处理:低温处理的Si / SiO_2结构中的亚氧化物过渡区减少900℃30秒快速热处理
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:通过等离子加热对储热材料进行快速充电
机译:通过快速热氧化形成高掺杂的砷化镓层,然后通过硅封镓砷化镓快速热退火
机译:快速热氧化和快速热退火技术制备的薄氧化物辐射响应