机译:SiCl_4 / SiF_4 / O_2干蚀刻栅凹入120 nm T栅GaAs pHEMT的表面质谱分析
Nanoelectronics Research Centre, Department of Electrical and Electronics Engineering, Glasgow University, Glasgow G128LT, Scotland, UK;
SIMS; dry etching; RIE; surface contamination; surface spectra; GaAs pHEMT;
机译:压力和覆盖层厚度对SiCl_4 / SiF_4 / O_2反应离子刻蚀对气体p-HEMT亚微米T栅凹槽的影响
机译:通过干法刻蚀单栅极凹槽制造的高效微波功率AlGaAs / InGaAs PHEMT
机译:利用120 nm自对准和纳米压印T栅极实现GaAs pHEMT的新技术
机译:使用非退火欧姆触点的120nm栅极长度电子束和纳米视图T型GaAs PHEMT
机译:通过气相色谱和液相色谱-质谱联用法分析环境和生物样品中的多溴二苯醚,多氯联苯及其代谢产物。
机译:HIV包膜蛋白的连续抗原表位的表征Gp120由人单克隆抗体使用化学改性和质谱分析认定
机译:50-nm自对准和'标准'T-gate Inp pHEmT比较:寄生效应对50-nm节点性能的影响
机译:具有干蚀刻垂直面和抛物面偏转镜的表面发射alGaas二极管激光器的高量子效率单片阵列。 (重新公布新的可用性信息)