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机译:用于高级集成电路的并联配置中的Cu-MIM电容器的高频特性
LAHC Universite de Savoie, 73376 Le Bourget du Lac Cedex, France;
MIM capacitor; TRL calibration; scattering parameters; lumped model; frequency dependant; quality factor;
机译:射频层应用中具有原子层沉积的HfO2电介质的金属-绝缘体-金属电容器的电特性
机译:具有原子层沉积HfO2电介质的金属-绝缘体-金属电容器的电气特性,用于射频集成电路
机译:高密度Al_2O_3 / TaN基金属绝缘体金属电容器在射频集成电路中的应用
机译:高k绝缘子的高频率特征及其对高级集成电路MIM电容器架构的影响
机译:采用低功率开关电容技术的CMOS模拟和射频集成电路设计
机译:构型异质性边缘处的卷材线圈。平行和反平行同四聚体卷曲螺旋的结构分析揭示了对单一溶剂暴露的氨基酸取代的构型敏感性。
机译:集成电路技术电容器形成新材料的特征
机译:先进的加工和表征技术。半导体光电器件和集成电路的制造和表征于1991年5月8日至10日在佛罗里达州克利尔沃特举行。美国真空学会系列10