机译:面向32 nm技术节点的完全耗尽的SOI MOSFET的应变和通道工程
CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
MOS; Strain; SOI; Silicon Germanium; Germanium; Contact Etch Stop Layers; mobility boosters; short channel transport;
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
机译:利用全面的源极漏极扩展工程技术,针对32 nm节点高性能pMOSFET技术,积极探索嵌入式SiGe的接近性
机译:应变传递结构作为10nm节点上完全耗尽的SOI MOSFET的迁移率增强器
机译:用于亚22纳米节点数字CMOS逻辑技术的基于锗的量子阱沟道MOSFET的工艺集成和性能评估
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:两步嵌入式siGe s / D工程对32 nm技术节点及其超前pmOsFET的影响