机译:使用电子束光刻以HSQ编写的10 nm线和间隔
Delft University of Technology, Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, The Netherlands;
high-resolution; electron beam resist; HSQ; nanolithography;
机译:使用电子束光刻技术制造相同的亚100 nm的近距离平行线
机译:专注于HSQ的20纳米以下电子束光刻胶:最新技术
机译:使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距(7纳米间距和21纳米线宽)的线和间隔图案的理论研究:I.灵敏度和化学梯度之间的关系
机译:使用电子束光刻用超薄HSQ抗蚀剂层写入的亚10-NM结构
机译:通过电子束光刻以低于30 nm的分辨率图案化生物分子
机译:使用电子束光刻写入的相位掩模通过近场全息术制造的软X射线变化线间隔光栅
机译:使用电子束光刻技术在超薄HsQ抗蚀剂层中写入的亚10nm结构