机译:纳米压印技术可用于未来的非易失性存储器和逻辑设备
Institut fuer Festkoerperforschung, Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich 52425, Germany;
nanoimprint lithography; crossbar array; memory and logic devices;
机译:使用非易失性设备的内存中逻辑VLSI
机译:使用非易失性设备的逻辑内存VLSI
机译:浮动栅极非易失性存储器和石墨烯作为未来闪存设备的缩放挑战:评论
机译:基于Ge的非易失性逻辑存储混合器件,用于NAND存储器
机译:将逻辑和非易失性器件嵌入CMOS数字电路以提高能效
机译:以富含Si的SiOX作为电荷陷阱层和铟锡锌氧化物的透明非易失性存储器件的特性
机译:原子上尖锐的接口使能超高速非易失性存储器设备