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机译:结晶前蚀刻的PZT薄膜的蚀刻特性和无电性能破坏
(IEMN) Institut of Electronique, Microelectronique and Nanotechnoloy, UMR, 8520, Department of Opto- Acousto-Electronique (DOAE), Materials and Integration for Microelectronic and Microsystems (MIMM) Team, Bat. P3, Cite Scientifique, Villeneuve d'Ascq 59;
etching; PZT; dielectric properties; ferroelectric properties; piezoelectric effect;
机译:Cl基等离子体腐蚀后PZT薄膜的腐蚀损伤特性研究
机译:醋酸改性PZT前驱体溶液的粒径对溶胶-凝胶法制备PZT薄膜的结晶和电性能的影响
机译:反刻蚀对(001)&(100)取向PZT(30/70)薄膜电学性能的影响
机译:结晶对PZT薄膜结构和电性能的影响
机译:基于原位X射线衍射的溶液沉积PZT薄膜中结晶的研究
机译:准分子激光晶体化的Si1-xGex薄膜晶体管的电学和结构特性
机译:背蚀刻对(111)取向PZT薄膜电性能的影响
机译:溶液前驱体性质对溶胶 - 凝胶衍生pZT薄膜结晶行为和性能的影响