机译:CMOS嵌入式基于HfO_2的1T1R单元的电阻开关特性
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
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IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany,Department of Computer Engineering and Microelectronics, Technische Universitat Berlin, 10587 Berlin, Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
resistive switching; HfO_2; 1T1R;
机译:关于在软击穿状态下运行的基于Al_2O_3-和基于HfO_2的存储单元的双极电阻切换特性
机译:串联电阻效应的实验研究及其对电阻转换回忆传导特性紧凑型造型的影响
机译:形成和循环过程对基于HFO_2电阻切换装置的电和物理降解特性的影响
机译:电阻开关非易失性存储器适用于28nm及超越嵌入式逻辑CMOS技术
机译:采用0.18um CMOS技术的开关电容器和开关电流流水线模数转换器的设计。
机译:焦耳热对热氧化形成AlOx电池电阻转换特性的影响
机译:所有WSE2 1T1R电阻RAM单元,用于将来整体三维嵌入式内存集成