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机译:氟化物残留对Cu / low-k互连中Cu团聚的影响
Fujitsu Laboratories Ltd.. 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan;
Fujitsu Semiconductor Ltd., 1500 Mizono, Tado-cho, Kuwana, Mie 511-0192, Japan;
Fujitsu Laboratories Ltd.. 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan;
Fujitsu Laboratories Ltd.. 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan;
cu agglomeration; porous; low-k; barrier metal; oxidation; fluoride residue; penetration;
机译:用于先进的多孔低k和Cu互连应用的TiN金属硬掩模残留物去除配方开发
机译:有限元法分析整个Cu-CMP过程中Cu / low-k互连结构的应力
机译:Cu / low-k互连中的热ALD TaNC膜的增强的生长和Cu扩散阻挡性能
机译:氟残余物对Cu /多孔低k互连中热稳定性的影响
机译:稀土金属添加对Al-Cu和Al-Si-Cu基合金性能的影响=加入稀有金属对Al-Cu和Al-Si-Cu合金性能的影响
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:利用角度分辨光散射在IC器件上的Cu / Low-K互连上具有角度分辨光散射的低k电介质的拉曼信号的增强