机译:通过电沉积用脉冲反向电流填充硅通孔(TSV)
Hanyang Univ, Dept Mat Engn, Ansan, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Bionanotechnol, Ansan, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Mat Engn, Ansan, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Mat Engn, Ansan, South Korea|Hanyang Univ, Dept Bionanotechnol, Ansan, South Korea;
TSV; Cu; Electrodeposition; Pulse-reverse current;
机译:铜脉冲反向电流电镀以填充盲孔以实现3-D TSV集成
机译:种子层厚度分布对3D集成硅通孔(TSV)填充模型的影响
机译:高纵横比环形沟槽的苯并环丁烯聚合物填充,用于制造硅通孔(TSV)
机译:使用电沉积浴研究铜穿硅通孔(TSV)试样的力学性能
机译:包含硅通孔(TSV)的三维互连的热机械可靠性。
机译:使用不同电流密度的铜电化学沉积的动态硅通孔填充工艺
机译:通过(TSV)技术脉冲反向电沉积脉冲反向电沉积型铜型铜的实验与理论研究
机译:用脉冲反向电镀电沉积低收缩铬/钼合金