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机译:ZEP520A-A抗蚀剂,用于电子束灰度光刻和热熔
Paul Scherrer Inst, Lab Micro & Nanotechnol, CH-5232 Villigen, Switzerland;
Paul Scherrer Inst, Lab Micro & Nanotechnol, CH-5232 Villigen, Switzerland;
Paul Scherrer Inst, Lab Micro & Nanotechnol, CH-5232 Villigen, Switzerland|Univ Eastern Finland, Inst Photon, Joensuu 80101, Finland;
Paul Scherrer Inst, Lab Micro & Nanotechnol, CH-5232 Villigen, Switzerland;
Paul Scherrer Inst, Lab Micro & Nanotechnol, CH-5232 Villigen, Switzerland;
Sensitivity; Contrast; Sidewall inclination; Energy optimization; Thermoplastic; Visco-elasticity; Polymer;
机译:电子束灰度光刻中纳米级三维结构的剩余抗蚀剂深度的精确控制
机译:控制电子束灰度光刻中3D结构制造的抗蚀剂厚度和蚀刻深度
机译:通过灰度电子束光刻和热退火技术制造具有垂直和倾斜侧壁的3D图案
机译:加热基板对光刻和灰度光掩膜应用中双金属热阻的影响
机译:灰度光刻技术在芯片级光学互连中的应用
机译:海藻糖糖醇抗性可通过电子束光刻直接写入蛋白质图案
机译:三态光刻模型:增强的数学方法来预测灰度光刻过程中的抗蚀剂特性