机译:SiO_2 / SiC界面的电子性质
机译:突然的4H-SiC(0001)/ SiO_2界面模型的结构和电子性质:经典分子动力学模拟和密度泛函计算
机译:SiO_2沉积前通过H_2和Ar混合气体处理改善SiO_2 / 4H-SiC(0001)的界面性能
机译:使用4H-SiC N〜+ -Channel连接MSFET评估Al原子对SiO_2 / SiC接口性能的影响
机译:XPS研究CE / 4H-SIC界面的电子性质,以及在氧化时形成SiO_2 / CE_2SI_2O_7 / 4H-SIC界面结构的形成
机译:SiC和AlN表面和界面的电子特性。
机译:石墨层对MgO / 6H-SiC(0001)界面电子性质的影响
机译:siO 2 / 4H-siC界面处过渡层的结构和电子特性