机译:Fowler Nordheim应力后MOS系统中陷阱的空间分布证据
机译:利用DCIV方法研究Fowler-Nordheim隧穿应力在SOI pMOSFET的Si / SiO_2界面处的界面陷阱
机译:负偏置温度应力下直接/ Fowler-Nordheim隧穿在p-MOSFET中产生界面陷阱和氧化物电荷
机译:三电平电荷泵研究Fowler-Nordheim应力对n-MOSFET中界面陷阱密度和发射截面的影响
机译:Fowler-Nordheim应力在二氧化硅中产生的电子陷阱的不均匀分布
机译:深地震空间分布:俯冲岩石圈内应力和储能弹性能量分布的数值模拟。
机译:ES-TRAP在体内外实时检测和持续监测ER应激:内毒素血症期间系统性短暂性ER应激的证据
机译:自组装变形 - 扩散模型范围内三层受应力纳米异子系统中点缺陷的时空重分布