机译:SIMOX SOI完全耗尽n-MOSFET中的高温扭结效应与掩埋氧化物的偏置温度不稳定性的关联
机译:偏置温度应力下SIMOX SOI结构埋入氧化物中正电荷累积的研究
机译:高温氧化的SIMOX掩埋氧化物上的电子陷阱
机译:外部偏置对低温下部分耗尽的SOI N-MOSFET的热载流子退化的影响
机译:埋入氧化物电荷不稳定的情况下,全耗尽SOI MOSFET的高温行为
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:异常高的土壤氮氧化物排放量会影响高温农业区的空气质量
机译:内氧化对分离 - 氧(SIMOX)工艺形成的掩埋氧化物氧缺氧和介电强度的影响