机译:SiC中的悬空键缺陷:对氧化时间的依赖性
机译:非晶硅薄膜晶体管中悬空键缺陷产生和去除的时间和温度依赖性的统一
机译:悬空粘合缺陷和晶界对多晶3C SiC捕获重组过程的影响
机译:SiC中悬空键缺陷的从头算研究
机译:第一性原理中突然出现的SiO_2 / 4H-和6H-SiC(0001)的界面态:Si悬挂键,C悬挂键和C团簇的影响
机译:单层MoS2中的筛选,缺陷和悬空键引起的光学损伤阈值
机译:带有SiC势垒的Si纳米盘紧密堆积排列中时间分辨光致发光的温度依赖性
机译:SIC悬空债券缺陷:AB Initio研究
机译:隧道光谱法研究局域化si-Dingling-Bond缺陷的电子结构