机译:在反串联和反并联电阻开关结构中控制设置和复位电压极性
Univ Valladolid Dept Elect Paseo Belen 15 E-47011 Valladolid Spain;
Resistive RAM memory (RRAM); Complementary resistive switching (CRS); Hafnium oxide;
机译:基于Al2O3 / HfO2功能性堆叠膜的电阻开关存储器,具有受控的SET和RESET电压
机译:复位电压极性对单极性存储器电阻切换区域的影响
机译:RESET电压对氧化钽薄膜中双极电阻开关SET开关时间分布的影响
机译:电阻RAM SET和RESET开关电压评估作为产生随机数的熵源
机译:紧凑型传输线的正极性开关浪涌闪络电压估计
机译:Cu / HfO2 / Pt电阻式开关存储器中复位开关的统计特性
机译:电阻切换回忆中集动力学和复位过程