机译:内因子和脉冲激发参数变化下光致发光二极管的光学特性变化
机译:通过测量光伏特性确定GaN基发光二极管的理想因子
机译:通过测量腔长相关特性来确定蓝根激光二极管的内部参数
机译:在内部因素和脉冲激励参数变化的情况下,LED的辐射特性发生变化
机译:使用外部光通量测量来估算发光二极管的内部结温和热阻
机译:增强氮化物发光二极管和激光二极管的内部量子效率和光学增益。
机译:嵌入3D发光二极管中的InGaN / GaN核壳纳米棒的发射特性
机译:从荧光有机发光二极管中的兴奋到准分子发射的可逆变化:依赖沉积参数和电偏差
机译:五个发光二极管的光谱,远场和近场测量