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MICROSTRUCTURE AND METAL-INSULATING TRANSITION OF VO_2 THIN FILMS

机译:VO_2薄膜的微观结构和金属绝缘转变

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摘要

Vanadium oxide thin films were deposited from alkoxide precursors. Upon a thermal treatment under a reducing atmosphere, they led to crystalline VO_2, which exhibited the well-known metal-semiconducting transition. The shape and width of the hysteresis curve were related to the microstructure of the films and strongly depend on the preparation procedure.
机译:氧化钒薄膜由醇盐前体沉积而成。在还原性气氛下进行热处理后,它们生成了晶体VO_2,该晶体表现出众所周知的金属-半导体过渡。磁滞曲线的形状和宽度与薄膜的微观结构有关,并且强烈取决于制备程序。

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