机译:蓝宝石上两步MOCVD生长的InN薄膜中In聚集体的生长温度依赖性
Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Science and Technology and Department of Physics, Nanjing University, Hankou Road 22, Nanjing 210093, China;
Indium nitride; Chemical vapor deposition; X-ray diffraction; Scanning electron microscope;
机译:MOCVD生长的InN薄膜的生长温度依赖性
机译:RF-MBE在蓝宝石衬底上外延生长高质量InN薄膜-低温生长的InN / GaN缓冲层的作用
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机译:基于蓝宝石衬底的低温生长INN薄膜,具有ECR - 血浆增强MOCVD
机译:通过MOCVD生长的高导电性和透明氧化镉薄膜:外延生长和掺杂效应
机译:MOCVD生长的ALN薄膜中应力和光学性质的温度依赖性
机译:生长温度对飞机蓝宝石激光MBE种植外延薄GaN薄膜结构和光学性质的影响
机译:mOCVD生长TiO2和VO2薄膜在蓝宝石单晶上的异质外延的X射线衍射研究。