机译:氮化镓GaN半导体高表面积纳米粉体的孔隙率建模
Faculty of Energy and Fuels, AGH University of Science and Technology, Al. Mickiewicza 30,30-059 Krakow, Poland;
Faculty of Energy and Fuels, AGH University of Science and Technology, Al. Mickiewicza 30,30-059 Krakow, Poland;
nitrides; powder diffraction; adsorption; surface properties; computer modeling and simulation;
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:多晶和无体化砷化镓GaAs的氨解,氮化镓GaN的多型纳米粉末
机译:多晶和无体化砷化镓GaAs的氨解,氮化镓GaN的多型纳米粉末
机译:全电动船的推进和电池充电系统,完全由交错式转换器构成,采用相间变压器和氮化镓(GaN)功率FET半导体
机译:基于阻抗的氮化镓(GaN)晶体管半导体结构模型,用于实时检测内部缺陷
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:错误到:用锰官能化氮化镓GaN表面的纳米粉末
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长