机译:离轴照明的入射角对极紫外光刻中图案可印刷性的影响
Association of Super-Advanced Electronic Technologies, EUV Process Technology Research Laboratory, c/o NTT Atsugi R&D Center, 3-1 Morinosato, Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan;
机译:离轴照明对100 nm宽度图案可印刷性的角度依赖性,用于极端紫外光刻:Ru / Mo / Si反射器系统
机译:极紫外光刻中轴外入射光掩模图案校正后的航空影像不对称性
机译:掩模图案校正对极紫外光刻中离轴入射光的影响
机译:16 NM节点极端紫外线光刻不同离轴照明引起的入射角变化的影响 - (PPT)
机译:用于自然缺陷分析的极紫外光刻掩模版的局部掩模图案
机译:迈向极紫外光刻的高精度反射计
机译:极端紫外光刻三维图案的严格模拟 面具
机译:用于极紫外投影光刻的临界照明聚光器