机译:Cl-2 / CO在电感耦合等离子体中铂的刻蚀特性
Korea Adv Inst Sci & Technol, Dept Chem & Biomol Engn, Taejon 305701, South Korea;
FERROELECTRIC CAPACITORS; ELECTRODE;
机译:Cl-2 / Ar和CF4 / Ar电感耦合等离子体中Pb(Zr,Ti)O-3薄膜的刻蚀特性:气体混合比的影响
机译:使用感应耦合的Cl-2 / Ar和BCl3 / Cl-2 / Ar等离子体对(Ba,Sr)TiO3薄膜进行等离子体蚀刻
机译:用光致抗蚀剂掩模在Cl-2 / Ar,Cl-2 / Ar / O-2化学中对GaAs进行电感耦合等离子体刻蚀
机译:电感耦合等离子体中的铂蚀刻
机译:通过电感耦合等离子体原子发射光谱法和电感耦合等离子体质谱法对催化转化器中的铂,钯和铑进行高精度和空间分析。
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:高kk电介质HfO(2)薄膜在电感耦合碳氟化合物等离子体中的蚀刻特性
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析