机译:在GaN衬底上生长的BN纳米膜的场发射特性
Osaka Univ, Dept Elect Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY; VAPOR-PHASE EPITAXY; BORON-NITRIDE; FILM; CATHODES; EMITTER; ARRAYS;
机译:沉积在各种基底上的BN纳米膜的场发射特性
机译:各种基材沉积BN纳米岩的场发射特性
机译:SiC衬底上GaN纳米膜的场发射结构效应
机译:在GaN衬底上生长的BN纳米膜的场发射特性
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:GaN衬底上生长的晶圆尺寸和单晶MoSe_2原子薄膜,用于发光和收集