机译:使用离子注入在蓝宝石衬底上的高迁移率SiGe / Si晶体管结构
NASA, Glenn Res Ctr, Cleveland, OH 44135 USA;
SILICON-ON-SAPPHIRE; ELECTRON-MOBILITY; STRAINED-SI; N-MODFET; HETEROSTRUCTURES; TECHNOLOGY; MODEL; INDUCTORS; SI/SIGE; ALLOYS;
机译:金属有机汽相外延技术表征不同Al含量的AlGaN / GaN异质结构和生长在100毫米直径蓝宝石衬底上的高电子迁移率晶体管
机译:A1N钝化对蓝宝石衬底AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管热性能的影响:仿真研究
机译:脉冲金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备InAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:蓝宝石衬底上的高迁移率SiGe / Si n型结构和场效应晶体管
机译:注入温度和电离辐射对离子注入蓝宝石微观结构的影响。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:蓝宝石衬底上采用离子注入的高迁移率SiGe / Si晶体管结构