机译:射频等离子体辅助分子束外延对GaN生长的高温限制:活性氮种类,表面极性,氢和过量Ga超压的影响
W Virginia Univ, Dept Phys, Morgantown, WV 26506 USA;
ATOMIC-HYDROGEN; KINETICS; OXYGEN;
机译:射频等离子体辅助分子束外延对GaN生长的高温限制:活性氮种类,表面极性和过量Ga超压的影响
机译:双缓冲层对射频等离子体辅助分子束外延生长的Ga极性GaN薄膜性能的影响
机译:使用岛状GaN缓冲剂在蓝宝石衬底上生长GaN晶体,该GaN缓冲剂是通过重复进行薄层低温沉积和射频等离子体分子束外延退火而形成的
机译:RF-等离子体辅助分子束外延生长的AlN / GaN双势垒共振隧穿二极管的室温负差分电阻
机译:射频等离子体辅助分子外延生长氮化镓:通过RHEED-TRAXS测定表面化学计量,氮化镓:铍退火以及活性氮种类,表面极性和过量的镓超压对高温极限的影响。
机译:Si在GaN / AlN / Si(111)等离子体辅助分子束外延中的作用:极性和反型
机译:双缓冲层对射频等离子体辅助分子束外延生长Ga极性GaN薄膜性能的影响
机译:氮等离子体辅助分子束外延生长的c轴GaN纳米线的稳态和瞬态光电导