机译:使用Zr [N(C2H5)(2)](4)和Si(OC4H9)(4)在Si(100)上生长具有组成渐变的超薄ZrxSi1-xO2的界面性质
Pohang Univ Sci & Technol, Div Elect & Comp Engn, Dept Chem Engn, Pohang 790784, South Korea;
ATOMIC LAYER DEPOSITION; GATE DIELECTRICS; THERMAL-STABILITY; FILMS; HAFNIUM; ZR;
机译:通过原子层沉积在Si(100)上生长的Hf-Zr-硅酸盐薄膜的介电常数和光学性质的组成依赖性
机译:金属有机化学气相沉积在(100)Si衬底上生长的{100}取向Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的晶体结构和电性能的面内取向和组成依赖性
机译:(100)/(001)取向外延Pb(Zr_(0.35),Ti_(0.65))O_3薄膜的电学性能比较,在(100)Si和(100)SrTiO_3衬底上生长具有相同(001)域分数的薄膜
机译:通过溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上生长的(Zr_(0.8),Sn_(0.8))TiO4薄膜的微观结构和光学性质
机译:正电子an没螺旋钻电子光谱在砷化镓上生长的界面缺陷和超薄铝膜的稳定性测量中的应用(100)
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:椭圆偏振光谱和高分辨透射电镜表征Si(100)上超薄硅酸锆界面层
机译:通过电子回旋共振等离子体氧化在(100)si衬底上生长的薄(<10nm)siO(sub 2)膜的结构和界面特性。