机译:解释Ni / n-GaN肖特基界面上的电流传输特性
Hokkaido Inst Technol, Dept Elect & Elect Engn, Teine Ku, Sapporo, Hokkaido 0068585, Japan;
MOLECULAR-BEAM EPITAXY; CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS; N-GAN; ELECTRICAL-PROPERTIES; VAPOR-DEPOSITION; CONTACTS; DIODES; POLARITY; LEAKAGE; TEMPERATURE;
机译:Au / Ni / n-GaN肖特基二极管中反向电流降解机理的综合研究
机译:在宽温度范围内对Au / Ni / n-GaN肖特基触点的电流电压测量结果进行分析
机译:Au / Ni / n-GaN肖特基二极管的电流-电压特性的温度变化
机译:Ni-GaN Schottky和N {Sup} + Inn-GaN异质结构接口的I-V-T,C-V和光电特性
机译:使用电流传输和瞬态电容测量来表征Nb / Si界面上的电活性缺陷
机译:硅基氮化镓上钯肖特基接触中的电流传输机制
机译:原子层沉积制备的AlGaN / GaN肖特基二极管的前电流传输性能