机译:Mn和Be共掺杂GaAs的低温迁移增强外延法实现高空穴浓度
Waseda Univ, Sch Sci & Engn, Shinjuku Ku, Tokyo 1698555, Japan;
CURIE-TEMPERATURE; INFORMATION DEPTH; GA1-XMNXAS; ROUGHNESS; TRANSPORT; MODEL;
机译:低温迁移增强外延法在邻近Ge表面生长GaAs
机译:低温分子束外延生长的Ga1-xMnxAs /(001)GaAs外延层的表征
机译:低温分子束外延生长的Ga_(1-x)Mn_xAs /(001)GaAs外延层的表征
机译:通过迁移增强外延的GaAs(111)B基质的GaAs和IngaAs的选择性区域生长
机译:通过迁移增强的余辉外延生长第二族氮化物。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:迁移增强的薄Gaasbi层外延
机译:在(111)B和(100)Gaas衬底上掺杂Gaas的迁移增强外延