机译:掺杂物原子分布的纳米级波动:掺杂物引起的点和电子界面的粗糙度
Forschungszentrum Julich, Inst Festkorperforsch, D-52425 Julich, Germany;
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY; P-N-JUNCTIONS; DOPED GAAS; SI; SUPERLATTICES; SPECTROSCOPY; HOLOGRAPHY; DEVICES;
机译:Ca_(2-x)Sr_xRuO_4中掺杂物诱导的纳米级电子不均匀性
机译:GaAs p-n多层中掺杂物原子团簇和电荷筛选引起的电子界面粗糙度-艺术。没有。 235302
机译:结合界面粗糙度和随机掺杂的栅极泄漏波动的三维统计仿真
机译:纳米金属氧化物半导体结构中随机掺杂剂诱导阈值电压波动的量子校正模拟
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:掺杂物引起的局部应变改变电子结构
机译:纳米级掺杂剂引起的点和GaAs的潜在波动
机译:在掺杂剂诱导的界面破坏下通过定向凝固制备具有受控微观结构的偏晶合金