机译:Si(100)衬底上高k栅极电介质(HfO2和Al2O3)膜的氮掺入工程和电性能
Seoul Natl Univ, Sch Mat Sci & Engn, Seoul 151742, South Korea;
ATOMIC LAYER DEPOSITION; ARSENIC PENETRATION; BORON PENETRATION; THERMAL-STABILITY; OXIDE; SI; HFSIXOY;
机译:作为高介电常数栅极材料的Si(100)衬底上La掺杂的Al2O3薄膜的电学性能
机译:作为高介电常数栅极材料的Si(100)衬底上La掺杂的Al2O3薄膜的电性能
机译:通过掺入Al2O3在低温(100摄氏度)下生长的原子层沉积HfO2膜的杂质减少并改善了电性能
机译:In0.53Ga0.47As衬底上HfO2 / Al2O3双层栅极电介质的电和电荷俘获特性
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:通过后退火实现具有高k Al2O3栅极电介质的溶胶-凝胶IGZO晶体管的电气性能的改善
机译:p-Si(100)上(ZrO2)0.66(HfO2)0.34栅介质薄膜的能带对准和光学性质
机译:1969年以前出版的综合文献目录,关于al2O3,BeO,HfO2,mgO,siO2和ThO2的介电性能