机译:(0001)蓝宝石上InN外延膜的射频-分子束外延生长及其性能
Ritsumeikan Univ, Dept Photon, Kusatsu 5258577, Japan;
FUNDAMENTAL-BAND GAP; ABSORPTION-EDGE; INDIUM NITRIDE; RF-MBE; ALLOYS; LAYER;
机译:等离子体辅助分子束外延在蓝宝石衬底上外延生长高质量的InN薄膜
机译:(0001)蓝宝石上通过化学束外延生长的GaN外延膜的微观结构与缓冲生长条件有关
机译:在蓝宝石(0001)衬底上生长的(Bi1-xSbx)(2)Te-3薄膜的外延生长和改善的电子性能:Sb含量和退火的影响
机译:等离子体辅助分子束外延生长在邻近蓝宝石(0001)衬底上的AIN膜
机译:通过反应分子束外延和材料表征,在蓝宝石衬底上生长纤锌矿型氮化镓外延膜。
机译:InN纳米棒在平面蓝宝石上无外延催化剂的生长
机译:在(0001)蓝宝石上生长的外延mgB2mgB2薄膜的界面结构
机译:蓝宝石分子束外延制备单晶V / Ce外延薄膜生长研究