机译:原位X射线衍射表征立方氮化镓的金属有机化学气相沉积生长
Johannes Kepler Univ, Inst Halbleiter & Festkorperphys, A-4040 Linz, Austria;
SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY; EPITAXIAL-GROWTH; SCATTERING; NUCLEATION; NITRIDES;
机译:低温GaN缓冲层金属有机气相外延生长过程中的原位X射线衍射监测
机译:通过原位金属有机化学气相沉积形成的结晶Al_2O_3 / GaN界面的电学和结构表征
机译:Ga面GaN金属氧化物半导体电容器上Al_2O_3的原位有机金属化学气相沉积和电容电压表征
机译:通过金属化学气相沉积在低温下薄GANAS癫痫术期间立方GANAS阶段的形成
机译:金属有机化学气相沉积和激光光化学气相沉积对III-V族化合物半导体材料的生长和表征
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:金属化学 - 气相沉积Ga-Face and N-Face GaN膜的带弯曲的表征
机译:金属有机化学气相沉积法横向外延生长的GaN非平面衬底的三维微观结构表征