机译:氧化GaN微晶的尺寸选择及其阴极发光性质。
Kogakuin Univ, Dept Elect Engn, Hachioji, Tokyo 1920015, Japan;
ELECTROLUMINESCENCE; SUBSTRATE; DIODES; POWDER;
机译:表面氧化的GaN晶体的阴极发光光谱
机译:用于紫外线电致发光器件的表面氧化GaN微晶的制备
机译:1层厚InN阱/ GaN基组成的InN / GaN多个量子阱的空间发光特性的阴极发光研究
机译:具有各种颗粒尺寸的Nm大小钡Ttttanate微晶的介电性能
机译:聚乙烯单晶和熔融结晶聚乙烯样品中的晶体尺寸。
机译:尺寸依赖性热不稳定性对Zn2 SiO4-SiOx核壳纳米管阵列的合成及其阴极发光性能的影响
机译:独立式多孔硅膜的微观结构和光学性质:硅纳米晶体中吸收光谱的尺寸依赖性