机译:通过化学气相沉积在Si上生长的ZrO2薄膜的结构和电学特性的厚度依赖性
Natl Tsing Hua Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hsinchu 300, Taiwan;
GATE DIELECTRIC STACKS; ATOMIC LAYER DEPOSITION; ELECTRONIC-STRUCTURE; THERMAL-STABILITY; TUNNELING CURRENT; INVERSION LAYER; OXIDE; MECHANISMS; SILICON; DEVICES;
机译:高k电介质原子层沉积Ge掺杂ZrO2薄膜的结构和电性能
机译:掺硼的纳米SiC:H薄膜的结构缺陷和电导率由光刺激化学气相沉积法生长。
机译:电学和结构性能对通过等离子体辅助电子束沉积制备的未掺杂ZnO薄膜的膜厚的依赖性
机译:通过MOCVD在Srruo {Sub} 3 / srtio {sub} 3上生长的超薄PZT薄膜的厚度依赖性和电性能
机译:在脉冲冷却条件下通过脉冲激光沉积[和]自由基,氟代亚甲基和氯卡宾的荧光激发光谱和原子荧光测量方法生长的金属氧化物薄膜的结构特征,以及荧光寿命的测量。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:厚度依赖性外延mgB2薄膜的性质 通过混合物理化学气相沉积生长
机译:脉冲激光沉积法制备薄膜厚度均匀性的研究