机译:GaN光电腐蚀中的腐蚀速率和表面形貌控制
Univ Notre Dame, Dept Elect Engn, Notre Dame, IN 46556 USA;
GALLIUM NITRIDE; N-GAN; DEVICES; SEMICONDUCTORS; DISLOCATIONS; TRANSISTORS; TEMPERATURE; GREEN; BLUE;
机译:使用光电化学湿法刻蚀和超声处理的超光滑GaN刻蚀表面
机译:通过在恒定Ar流量下循环注入CH_4 / H_2 / Ar和O_2来改善GaN电子回旋共振离子蚀刻中的蚀刻表面形态
机译:蓝宝石衬底表面上高密度纳米坑的形成化学以及被腐蚀衬底上器件质量的GaN膜的原位腐蚀和生长机理
机译:GaN光化学刻蚀中的表面形态控制
机译:有机材料等离子体刻蚀的刻蚀轮廓控制与表面反应研究
机译:聚合物/富勒烯共混膜的选择性湿蚀刻用于表面和纳米形态控制的有机晶体管和灵敏度增强的气体传感器
机译:蓝宝石(0001)N-GaN的光电化学蚀刻过程形态和光致发光光谱的变化
机译:n-Gaas中光电化学蚀刻轮廓的形态控制