机译:通过各种预沉积处理在Si上生长的ALD HfO2和La2O3栅极电介质的膜特性
Freescale Semicond Inc, Austin, TX 78721 USA;
OXIDE THIN-FILMS; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; THERMODYNAMIC STABILITY; METAL-OXIDES; LANTHANUM; SILICON; NUCLEATION; CONTACT; LAYERS;
机译:具有ALD HfO2,HfSiOx和HfSiON栅极电介质的MOS器件中使用不同镧前体的ALD La2O3覆盖层的电学特性
机译:ECR-ALD沉积HfO2 / La2O3 / HfO2薄膜的电学特性
机译:HFO2封装对少数层MOS2晶体管电气性能的影响,用ALD HFO2作为背栅电介质
机译:ALD沉积HfO2超薄栅介质的表面和界面特性
机译:高k HfO2栅介质的射频溅射ZnO薄膜晶体管制造条件的优化。
机译:ALD沉积La2O3 / Al2O3叠层和LaAlO3介电薄膜的电学性能研究
机译:ALD沉积La2O3 / Al2O3叠层和LaAlO3介电薄膜的电学性能研究