机译:在C终止的beta-SiC(100)c(2X2)和富石墨的beta-SiC(100)1X1表面上的初始氧化物/ SiC界面形成
Univ Paris 11, Lab SIMA, Commissariat Lenergie Atom, DSM,DRECAM,SPCSI, F-91191 Gif Sur Yvette, France;
PHOTOEMISSION-SPECTROSCOPY; SILICON-CARBIDE; X-2) SURFACE; SYNCHROTRON-RADIATION; OXIDATION; RECONSTRUCTION; DIFFRACTION;
机译:从头算计算研究氢在C端基β-SiC(001)-c(2 x 2)表面上诱导的纳米隧道结构
机译:原子氢与β-SiC(100)3X2表面和亚表面的相互作用
机译:干净和氢饱和的β-SiC(100)(3x2)表面的从头开始的电子和结构性质
机译:β-SiC(100)c(4x2)表面重建的组合扫描隧道显微镜和光发射研究
机译:超音速分子束在Si(100)上外延生长β-SiC。
机译:β-SiC纳米线(〜100 nm)通过氧化应激在小鼠成骨细胞MC3T3-E1中诱导凋亡。
机译:六棱柱[111]β-SiC纳米线的尺寸依赖性表面应力,表面刚度和杨氏模量
机译:扫描隧道显微镜和立方β-siC(111)表面的光谱