机译:侧壁粗糙度对CF4等离子体中产生的SiO2沟槽的底部蚀刻性能的影响
Seoul Natl Univ, Sch Chem Engn, Seoul 151744, South Korea;
HIGH-DENSITY PLASMA; ANGULAR-DEPENDENCE; PROFILE;
机译:在CHF3等离子体中进行SiO2蚀刻期间,侧壁和底部蚀刻速率之间的交互关系(受侧壁角度影响)
机译:CF4,C2F6和C4F8等离子在不同偏置电压下SiO2蚀刻速率的角度依赖性
机译:使用法拉第笼和中性束改善CF4和SF6等离子体中蚀刻的SiO2图案轮廓
机译:控制边缘形状,侧壁轮廓和等离子体蚀刻铜的侧壁粗糙度
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:等离子改性PTFE在生物领域的研究:蛋白质抗性等离子处理表面成分和表面粗糙度之间的关系
机译:在现场污水系统中模拟沟槽侧壁和底部流动