机译:基于薄表面势垒模型的氮化物肖特基二极管过大泄漏电流的分析和控制
Hokkaido Univ, RCIQE, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan;
FIELD-EFFECT TRANSISTORS; N-TYPE GAN; ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS; GATE LEAKAGE; GAN/ALGAN HETEROSTRUCTURES; CURRENT TRANSPORT; CURRENT COLLAPSE; NATIVE DEFECTS; MECHANISM; CONTACTS;
机译:4H-SiC肖特基势垒二极管漏电流源的表面形貌分析
机译:基于薄表面势垒模型的GaN和AlGaN肖特基二极管中电流传输的计算机模拟
机译:肖特基势垒高度的降低,打开基于Li掺杂ZnO纳米座阵列的肖特基二极管的电压,漏电流和高响应度
机译:使用光束感应电流测量分析4H-SiC肖特基势垒二极管中的高漏电流
机译:薄纳米晶金刚石基肖特基势垒二极管和其他两个端子结构的电性能。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:基于薄表面势垒模型的氮化物肖特基二极管过大泄漏电流的分析和控制