机译:退火(HfO2)(x)(SiO2)(1-x)栅氧化物的表面电势和形貌问题
IBM Corp, Thomas J Watson Res Ctr, Yorktown Hts, NY 10598 USA;
ATOMIC LAYER DEPOSITION; DIELECTRIC STACKS; PHASE-SEPARATION; ELECTRICAL CHARACTERIZATION; HAFNIUM OXIDE; BINARY OXIDES; FILMS; SILICON;
机译:HfO2和(HfO2)(x)(SiO2)(1-x)薄膜的结构和表面电势表征
机译:具有SiO2 / HfO2堆叠栅氧化物结构的双材料双栅极TFET的电学特性的二维分析建模
机译:热退火序列对Al2O3 / hFO2 / SiO2叠层HFO2晶相的影响
机译:HfO2和衬底之间的SiO2中的Si化学势增加会导致SiO2的自分解-全面了解Si,SiGe和SiC上HfO2栅堆叠中的SiO2-IL清除
机译:通过控制退火实验研究异质外延Si(1-x)Ge(x)薄膜的形态不稳定性和缺陷形成
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:与HfO2 / siO2 / p-siHfO2 / siO2 / p-si栅极堆叠相关的带对准问题
机译:高温退火si / siO2 / si结构中的界面氧化物退化