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Solutal Convection During Growth of Alloyed Semiconductor Crystals in a Magnetic Field

机译:磁场中合金化半导体晶体生长过程中的固溶对流

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摘要

This paper presents a model for the unsteady species transport during bulk growth of alloyed semiconductor crystals with a planar crystal-melt interface and with an externally applied steady axial magnetic field. During growth of alloyed semiconductors such as germanium-silicon (GeSi) and mercury-cadmium-telluride (HgCdTe), the solute's concentration is not small so that density differences in the melt are very large. These compositional variations drive compositionally driven buoyant convection, or solutal convection, in addition to thermally driven buoyant convection. These buoyant convections drive convective transport, which produces nonuniformities in the concentration in both the melt and the crystal. This transient model predicts the distribution of species in the entire crystal.
机译:本文提出了一个模型,该模型在合金半导体晶体的整体生长过程中具有平面晶体-熔体界面以及外部施加的稳定轴向磁场的情况下,非稳态物质的传输。在合金半导体(例如锗硅(GeSi)和碲化汞镉镉(HgCdTe))的生长过程中,溶质的浓度不小,因此熔体中的密度差异非常大。除了热驱动的浮力对流之外,这些成分变化还驱动成分驱动的浮力对流或溶液对流。这些浮力对流驱动对流传输,从而在熔体和晶体中产生浓度不均。这种瞬态模型可以预测整个晶体中物种的分布。

著录项

  • 来源
    《Journal of Thermophysics and Heat Transfer》 |2003年第1期|p.77-81|共5页
  • 作者

    Nancy Ma;

  • 作者单位

    North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 理论物理学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:01:39

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