In situ surface modification and growth of ultrasmooth amorphous carbon films by direct carbon ion-beam deposition

M. H. Sohn; S. I. Kim

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In situ surface modification and growth of ultrasmooth amorphous carbon films by direct carbon ion-beam deposition

机译：直接碳离子束沉积原位表面改性和超光滑非晶碳膜的生长

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机译：通过未过滤和过滤的直接碳离子束，在硅基板上生长了非常薄（<100 nm）的非晶碳膜。在膜生长之前，使用300-500 eV范围内的C能量进行原位表面改性。通过将C束的能量降低至150 eV，在表面改性后连续生长了非晶碳膜。高分辨率电子显微镜显示，膜/基材界面受到400和500 eV C束的破坏。通过电子能量损失谱研究的界面处的碳组成分布图表明，500 eV C束在界面处产生了30 nm厚的碳/硅混合层。在300 eV修饰下未观察到损坏和混合层。磨损测试发现，在400和500 eV修饰的样品中发生了强粘附力。然而，在300 eV时，改性样品表现出分层失败，这表明薄膜的粘附性较差。通过原子力显微镜研究了30、60和90 nm厚膜的表面粗糙度演变。当通过过滤的C-射线生长膜时，作为膜厚度的函数的膜表面粗糙度降低更快。

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来源
《Journal of Materials Research》 |1999年第6期|2668-2673|共6页
作者
M. H. Sohn; S. I. Kim;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工程材料学;
关键词
入库时间 2022-08-18 00:30:14

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